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工厂照明设备的节能

品和监视用仪表上面产生的影子会妨碍工作,不仅要注意照明灯具的配置,还有必要相应增加局部照明,因为辉度源的发射映射到有泽的产品或vdt的表面上,注意该线的反射问题是必

  http://blog.alighting.cn/1327/archive/2007/11/26/7994.html2007/11/26 19:28:00

现代照明设计

、咖啡厅、茶室等照明设计,宜采用低照度水平并可调,餐桌上可设烛台,台灯等局部低照度照明。但入口及收款台处的照度要,达到满足功能上的需要。4.室内艺术装饰品的照度选择可根据下述原

  http://blog.alighting.cn/mikoer/archive/2008/12/23/9514.html2008/12/23 10:12:00

商业照明设计

平并可调,餐桌上可设烛台,台灯等局部低照度照明。但入口及收款台处的照度要,达到满足功能上的需要。 l、室内艺术装饰品的照度选择可根据下述原则:当装饰材料的反射系数大于80%时

  http://blog.alighting.cn/wangchanghui/archive/2009/5/29/9990.html2009/5/29 16:49:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

奥佳电材料有限公司推出手机用下扩散/背源材料

及破坏模组的危害,并且不分入正反面即正反面都可做为入面或扩散面,aj扩散膜完全通过湿测验(65℃、95%、500hr)及冷热冲击试验(-30℃-85℃/30minfo

  http://blog.alighting.cn/aojiagongs/archive/2008/8/11/222.html2008/8/11 14:27:00

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