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[转载]颜重光:发展迅速的ac直接驱动led光源技术

光的acled,其次是美国iii-ntechnology,3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓,可以增进照明和传感器的应用,并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二

  http://blog.alighting.cn/breadtree/archive/2011/6/20/222171.html2011/6/20 13:49:00

[转载]广州亮化设计——led照明将往创新性和产业化技术方向发展

感度较高的5个因素——产量、亮度、资本内效率、机器恢复及运用气体等方面不断改进。在机台的材料、尺寸、工艺灵活性、制造环境、系统可靠性及可维护性等方面不断取得突破。继市场接受度很

  http://blog.alighting.cn/quanlubiaoshi/archive/2011/7/8/229310.html2011/7/8 10:54:00

照明用led封装技术关键

、温度循环冲击、负载老化工艺筛选试验,剔除早期失效品,保证产品的可靠性很有必要。5 静电防护技术蓝宝石的蓝色芯片其正负电极均位于芯片上面,间距很小;对于ingan/ algan

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00

led分选技术

置和参数,然后把这些数据传递到分选设备上,进行快速分选、这样做的优点是快速,但缺点是可靠性比较低,容易出错,因为在测试与分选两个步骤之间通常还有减薄和芯片分离的工艺过程,而在这

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230127.html2011/7/18 23:59:00

led分选技术

试设备记录下每个芯片的位置和参数,然后把这些数据传递到分选设备上,进行快速分选、这样做的优点是快速,但缺点是可靠性比较低,容易出错,因为在测试与分选两个步骤之间通常还有减薄和芯

  http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/7/25/230797.html2011/7/25 17:44:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

法在蓝宝石上生长的蓝色gan基led外延片,外延片为多量子阱结构。芯片制造中,n欧姆接触电极采用ti/al/ti/au结构,p欧姆接触电极用氧化ni/au透明电极,焊线电极

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

新光源期待新动力——我国led照明产业发展质量透视

”全国高科技企业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉记者,led产业链较长,从上游的材料、外延、芯片到器件封装以及应用,涵盖了半导体工业和照明工业,是各学科交叉融合的产业。 从国

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233094.html2011/8/19 23:58:00

交流发光二极管(acled)知识

国 iii-n technology,3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓,可以增进照明和传感器的应用,并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233114.html2011/8/20 0:04:00

透视国内led照明产业发展质量

业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者,led产业链较长,从上游的材料、外延、芯片到器件封装以及应用,涵盖了半导体工业和照明工业,是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233196.html2011/8/20 0:29:00

超过一成的led企业倒闭 中山陷入恶性竞争怪圈

计数据,今年1~7月,我国led行业计划新增投资总额达1256亿元,上游和外延芯片是投资的重点和热点,企业狂奔突进的势头依然不减。  但是下游市场显然没有打开。企业的led产

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/9/30/242855.html2011/9/30 22:58:27

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