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具有纳米凹坑氧化铟锡的led光提取效率的提高

本文揭示了一种简单并且经济的方法。通过自组装和干法刻蚀的方法制作粗化的氧化铟锡薄膜。运用原子力显微镜(afm)对表面形态和粗糙程度进行观察。测量各个样品的i-v特性、出光功率和出光

  https://www.alighting.cn/resource/20130319/125863.htm2013/3/19 10:05:03

首尔半导体mjt4040 pkg路灯锁定全球市场

2013年3月14日, 首尔半导体公司(ssc)发布采用多结技术的全新 mjt4040 pkg ,以应对全球led路灯市场日益增长的需求。首尔还宣布,已在中国使用mjt 4040

  https://www.alighting.cn/news/20130319/112671.htm2013/3/19 9:43:21

飞利浦预测2015年led将占市场45%

保节能的底线;在工业领域进行替换,提升60%节能效率,并在2-3年收到投资回报;在办公场所则提供明暗调节,在偏远地区提供太阳能解决方案等等。同时,其发言人介绍,飞利浦在靠近阿姆斯特

  http://blog.alighting.cn/cdmingda/archive/2013/3/19/311203.html2013/3/19 1:19:13

光导照明将取代led照明 主导节能照明领域

间楼层或者内走廊房间,光导照明无法发挥作用;  第三,光导照明系统的日光转换效率并不理想,也受到采光面积等因素的限制,所以发挥的照明效果也不及led节能灯具,常常需要两者并用才能达

  http://blog.alighting.cn/liuduspace/archive/2013/3/18/311178.html2013/3/18 17:14:12

科锐第二代碳化矽功率mosfet实现量产

新型1200v耐压功率的mosfet提供业界领先的功率密度和切换效率,每安培成本只有科锐前一代mosfet产品的一

  https://www.alighting.cn/news/20130318/113157.htm2013/3/18 15:17:09

大功率led封装的新发展

正led封装需要考虑的主要问题包括:(1)光取出效率;(2)热阻。大功率led封装的发展经历了几个阶段,封装结构的设计基本上围绕这两个问题。其中,为降低热阻而设计的封装结构较多,

  https://www.alighting.cn/resource/20130318/125864.htm2013/3/18 13:27:08

结温与热阻制约大功率led发展

了如下两个观点:1.要在保持低成本和自然散热方式下提高led器件的功率,根本的出路是提高光转换效率;2.在目前没有提高光转换效率的情况下,发展超过5 w的大功率器件对工程应用没有实

  https://www.alighting.cn/resource/20130318/125866.htm2013/3/18 11:53:54

科锐推出第二代sic功率mosfet

率的mosfet提供业界领先的功率密度和切换效率,每安培成本只有科锐前一代mosfet产品的一半。从性价比上,新型的功率mosfet是尺寸更小及重量更轻的碳化硅系统,通过提高效率及降低安

  https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55

高压led优缺点分析

文章就功率耗散和散热器大小、ac/dc转换器的效率、“高压led减小了led的面积”、“高压led可以根本不需要变压器”、发光效率的高低、高压led和分立小功率led的比较等问

  https://www.alighting.cn/resource/2013/3/18/1095_88.htm2013/3/18 10:09:05

怎样甄别集成吊顶led平板灯的质量好坏

光效:同样的灯珠功率,光效越高,亮度越高,同样的照明亮度,耗电越小,越节能。六、看电源效率,电源效率越高越好,越高,说明电源本身的功耗越小,输出的功率越大。七、是看是否符合安全标

  http://blog.alighting.cn/icyled/archive/2013/3/16/311040.html2013/3/16 11:43:33

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