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近日，碳化硅功率器件领域的市场领先者cree公司(nasdaq: cree)日前宣布推出最新z-rec?650v 结型肖特基势垒(jbs)二极管系列。
https://www.alighting.cn/pingce/20110111/123106.htm2011/1/11 17:17:17
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128087.htm2011/1/11 16:29:26
围绕GaN类蓝色led的相关专利，大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128088.htm2011/1/11 15:46:14
马帕夫拉克，环境部长和主席会议马切伊诺维茨基出席展会。并且瓦尔德马帕夫拉克还在之后新闻发布会上提及了最感兴趣的新产品和技术创新。 市场介绍： a. 波兰地处欧洲中心，地理位置优
http://blog.alighting.cn/zzhuanqiong/archive/2011/1/11/126950.html2011/1/11 11:02:00
汞高于母亲发汞20-30%,脐带血汞高于正常儿，母亲乳汁中甲基汞含量也高。 由此可见，废弃节能灯污染环境的问题十分严峻，河南财经政法大学卢礼新副教授就表示，废弃节能灯的数量现
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126912.html2011/1/11 0:48:00
%。因此，透过改变材料结构是目前较有效降低晶片热阻的方式。 fr4散热基板成主流 一般对于常见led的散热基板，大致可区分為传统印刷电路板环氧玻璃纤维板(fr4)、金属
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00
确不尽相同，它将倒装焊芯片的衬底变为发光表面，电极与硅热沉芯片贴合，因此倒装焊芯片与硅基片的热沉区很接近，散热效果增加，大电流驱动也不会有余热，所以芯片面积可以加大1mm×1mm，也
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
电，led正负两个电极乃设在同面。当电流通过GaN晶格时，电流必须由垂直顺流改成水平横流且集中在内弯处，导致无法有效使用p-n接口的电子层和空穴层，因而减少了发光效率。更有甚者，电流集
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
似我国国科会，负责韩国科技事务，是大型研究机构与学术单位重要研究经费来源。目前科技部每年约有60~70件GaN相关研究计划，每年经费约2,000万至1亿韩元，比产业资源部要少。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126727.html2011/1/9 19:50:00
、cree，德国的osram公司等。 国外大公司都很重视技术专利的申请，有关GaN基半导体led的关键技术都已经在本国或国际上申请了专利，基本覆盖了从衬底制备、外
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
