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超大尺寸高功率芯片封装成功

超大尺寸高功率芯片封装成功  本报讯(记者 周刚)日前,中科院微电子研究所系统封装技术研究室(九室)成功封装了一款超大图像芯片,标志着该研究室封装技术水平又迈上了一个新台阶。 

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293831.html2012/10/19 22:31:12

超大尺寸高功率芯片封装成功

超大尺寸高功率芯片封装成功  本报讯(记者 周刚)日前,中科院微电子研究所系统封装技术研究室(九室)成功封装了一款超大图像芯片,标志着该研究室封装技术水平又迈上了一个新台阶。 

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293955.html2012/10/19 22:35:04

led三维封装原理及芯片优化

为了使led通向照明,各大厂急需解决的问题是降低成本,增加光通量。其中有效的方式是在不增加成本的情况下,如何注入大电流。   本封装适合于垂直结构led,工艺上取消原来的led芯

  http://blog.alighting.cn/znzm123/archive/2011/4/18/165951.html2011/4/18 11:44:00

晶能大功率led芯片量产

晶能大功率led芯片量产 本报讯(记者 叶森斐)日前,国际半导体照明联盟(isa)在广州举行年度成员大会,并正式发布了“全球半导体照明2012年度新闻”评选结果。晶能光电作为“全

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/11/19/298630.html2012/11/19 11:11:30

国内led芯片利润持续走低

本报讯(记者 邓伟俊)产能过剩导致led芯片利润趋薄。近日,各厂商陆续发布了2012年年报,年报显示,led芯片的高毛利时代已经过去。  根据行业龙头企业三安光电发布的年

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/23/315246.html2013/4/23 10:08:58

led芯片封装缺陷检测方法研究

引脚式led芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对led支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对led支架回路光电流进

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230114.html2011/7/18 23:52:00

led灯具对低压驱动芯片的要求

【led光栅屏网】1. 驱动芯片的标称输入电压范围应当满足直流8~40v,以覆盖较广的应用需要。耐压能力最好大于45v。当输入为交流12v或24 v时,简单的桥式整流器输出电压会

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2012/11/28/301224.html2012/11/28 11:02:50

led芯片的技术和应用设计知识(一)

求,须从系统的角度去考虑,如led光源、电源转换、驱动控制、散热和光学等。薄膜芯片技术崭露锋芒目前,led芯片技术的发展关键在于基底材料和晶圆生长技术。基底材料除了传统的蓝宝石材料、

  http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56

新世纪光电ingan led chips (12×12)产品规格书

本文为台湾新世纪ingan led chips (12×12) led芯片的规格书。

  https://www.alighting.cn/resource/20110728/127381.htm2011/7/28 16:45:26

台湾两家led芯片制造商合并

led芯片制造商touchtek和uni light technology公司宣布一个合并计划,uni light公司的1.7股份将会用来交换touchtek公司一份股份,合并将

  https://www.alighting.cn/news/2007521/V814.htm2007/5/21 13:42:31

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