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铝基）、lf-2（环保铝基）； 铜箔厚度：1/2-6盎司； 线路层数：1-16层； 最小线宽：0.1mm(4 mils)； 最小线距：0.1mm(4 mils) ； 最
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180533.html2011/5/28 11:34:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180532.html2011/5/28 11:33:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180531.html2011/5/28 11:32:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180529.html2011/5/28 11:31:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180528.html2011/5/28 11:29:00
东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示，此项成果明确了追赶gan类产品的前进道路。 据了解，制造led元件时采用了mbe（分子束外延）法，并开发出了不使用自由基
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
0年的1200亿颗增长到1650亿颗，增长超过40%;而到了2013年，led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言，2011年氮化镓led的市场仍将延续2010年的成长力
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
少在控制fet和同步fet中使用powertrench® mosfet屏蔽柵極技術而產生的振鈴噪聲。同步fet還集成了一個肖特基二極管，免除外部緩衝器電路，提高總體性能和功率密度，同
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180477.html2011/5/27 22:30:00
晶元（episar）广镓（huga）新世纪光电（genesis photonics）光电（arima）泰谷光电（tekcore） 联胜 （hpo）汉光（hl）光磊:ed 鼎元:t
http://blog.alighting.cn/hfamedz/archive/2011/5/26/180361.html2011/5/26 10:26:00
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/20110524/127562.htm2011/5/24 12:38:10
