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1w大功率日光灯铝

)、lf-2(环保铝); 铜箔厚度:1/2-6盎司; 线路层数:1-16层; 最小线宽:0.1mm(4 mils); 最小线距:0.1mm(4 mils) ; 最

  http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180531.html2011/5/28 11:32:00

供应led路灯铝

)、lf-2(环保铝); 铜箔厚度:1/2-6盎司; 线路层数:1-16层; 最小线宽:0.1mm(4 mils); 最小线距:0.1mm(4 mils) ; 最

  http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180529.html2011/5/28 11:31:00

供应led铝线路板 日光灯铝

)、lf-2(环保铝); 铜箔厚度:1/2-6盎司; 线路层数:1-16层; 最小线宽:0.1mm(4 mils); 最小线距:0.1mm(4 mils) ; 最

  http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180528.html2011/5/28 11:29:00

日本一研究机构将zno类紫外led功率提高至100μw

 东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示,此项成果明确了追赶gan类产品的前进道路。   据了解,制造led元件时采用了mbe(分子束外延)法,并开发出了不使用自由

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00

从mocvd看led发展趋势

0年的1200亿颗增长到1650亿颗,增长超过40%;而到了2013年,led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言,2011年氮化led的市场仍将延续2010年的成长力

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00

飛兆半導體推出generation ii xs™ drmos器件 採用6mm x 6mm封裝提供高達94%的峰值效率

少在控制fet和同步fet中使用powertrench® mosfet屏蔽柵極技術而產生的振鈴噪聲。同步fet還集成了一個肖特二極管,免除外部緩衝器電路,提高總體性能和功率密度,同

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180477.html2011/5/27 22:30:00

爱默尔电子分享led芯片晶元资料小整理

晶元(episar)广(huga)新世纪光电(genesis photonics)光电(arima)泰谷光电(tekcore) 联胜 (hpo)汉光(hl)光磊:ed 鼎元:t

  http://blog.alighting.cn/hfamedz/archive/2011/5/26/180361.html2011/5/26 10:26:00

管型元led的研究

本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型元led的研究,这种管型元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/resource/20110524/127562.htm2011/5/24 12:38:10

aixtron收到三星led下达的mocvd设备订单

及固态照明应用的氮化的高亮度蓝光、白光led。aixtron指出,三星led过去一直使用aix 2800g4 ht氮化的mocvd系统,并于2010年购买了2台g5系

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/23/180211.html2011/5/23 22:56:00

led照明设计过程中关键问题全析

低一次性封装成本;分散的封装形式有利于减低散热设计成本;选择国产的铝pcb板材;便于光学设计;电源设计简化;封装形式多样;有利增强国产led竞争力。   这是cree、nichi

  http://blog.alighting.cn/lighting-design/archive/2011/5/22/180081.html2011/5/22 7:57:00

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