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据了解，到明年底，富士康(衡阳)工业园投资额将不低于1亿美元，主要生产数位产品、先进光电及led等系列产品。项目建成后，员工人数将达3万人以上，明年有望实现产值约50亿美元。目
https://www.alighting.cn/news/20110822/115015.htm2011/8/22 10:59:40
颈。在led衬底材料的技术和外延片生产设备方面，国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段，而在最关键的白光、大功率led灯的热平衡问题、持久高
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/8/22/233281.html2011/8/22 10:59:00
rubicon公司解释：“与其他衬底材料的生产相比，蓝宝石晶体生长是极其复杂的，稳定的功率、生长形貌、冷却以及反馈控制机制，都必须被优化管理，以保障高质量蓝宝石晶体材料产量的最大
https://www.alighting.cn/news/20110822/115117.htm2011/8/22 9:17:17
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233212.html2011/8/20 0:34:00
出，推动led照明产业发展的动力源自3个方面：户外照明、显示器和汽车照明。在照明领域，2008年年底科技部、财政部启动半导体照明应用工程(简称“十城万盏”)试点工作，计划到2010
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233201.html2011/8/20 0:31:00
业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者，led产业链较长，从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用，涵盖了半导体工业和照明工业，是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233196.html2011/8/20 0:29:00
以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00
性，提高了芯片寿命。2）键合技术 algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石，它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温，可通过减薄衬底或去
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233154.html2011/8/20 0:17:00
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233133.html2011/8/20 0:08:00
