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大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

技术交流:led照明设计过程中关键问题全析

装成本;分散的封装形式有利于减低散热设计成本;选择国产的铝基pcb板材;便于光学设计;电源设计简化;封装形式多样;有利增强国产led竞争力。 这是CREE、nichia

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261353.html2012/1/8 20:20:40

大陆led群雄并起 台厂下一步战略如何走?

钜。   技术方面,以技术门槛较高led磊晶/晶粒来说,目前台湾已有晶电(2448)、璨圆(3061)可量产光源效率110lm、100lm的高功率白光led晶粒,虽落后于 CREE

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261373.html2012/1/8 20:22:27

led灯珠的选择

流220v。 四、护栏管元器件的选 1、光珠:   led光珠是护栏管中最重要的器件,价值最高。led光珠必须选用正规大厂的产品(如CREE、osram、lumileds

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261398.html2012/1/8 20:28:07

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

工业级高信赖性led路灯系统评量指针

求。2.)led发光效率vs温升与寿命规格关键技术指针:其次检视CREE或osram led发布数据其芯片pn结工作温度 tj<85℃方能确保工作寿命达50000小时,且芯片pn结

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261489.html2012/1/8 21:45:52

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

工业级高信赖性led路灯系统评量指针

求。2.)led发光效率vs温升与寿命规格关键技术指针:其次检视CREE或osram led发布数据其芯片pn结工作温度 tj<85℃方能确保工作寿命达50000小时,且芯片pn结

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262662.html2012/1/29 0:36:34

国际led照明龙头ceo对中国市场的预测及战略浅析

”,来自日亚化学、飞利浦、CREE、ge、维易科、爱思强、晶元光电的众多国际 ceo们就半导体照明这场技术革命与产业变革的未来发展趋势相互交流了看法。  “中国市场的未来增长没有问

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/1/31/263403.html2012/1/31 15:37:39

谁能点亮led民用市场?

时,还可以绕开日亚和CREE布下的专利壁垒。

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263593.html2012/2/4 14:47:45

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