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国内外lEd相关标准现状,lEd行业标准

明的标准,只有有关普通 lEd的测试标准和与普通光源有关的照明方面的标准。普通lEd的测试标准有: ( 1)iEc60747-5 sEmiconductor dEvicE

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120868.html2010/12/14 21:46:00

lEd结温的相关知识

着lEd的工作时间和工作电流的增加,其发光强度和光通量会下降,寿命降低,对白光还会导致激发效率的下降[4],这主要是由于lEd结温升高导致的。2002年hongEtal.[5]研究结

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00

lEd知识概述

管和达于做指示灯用。2. 按发光管出光面特征分 按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8m

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00

lEd发光二极管是按什么分类?

分 按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。 圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120861.html2010/12/14 21:44:00

lEd照明灯的基本概述及其特性

管中含有汞和铅等元素,节能灯中的电子镇流器会产生电磁干扰) 5、保护视力:直流驱动,无频闪(普通灯都是交流驱动,就必然产生频闪) 6、光效率高:发热小,90%的电能转化为可见

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120862.html2010/12/14 21:44:00

硅衬底lEd芯片主要制造工艺

n膜出现龟裂,晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度;另外si衬底lEd还可能因为si与gan之间有0.5 v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低,导

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

lEd分选技术

一台分选机的产能为每月5kk.   目前,芯片的测试分选有两种方法:一种方法是测试分选由同一台机器完成,它的优点是可靠,但速度很慢,产能低;另一种方法是测试和分选由两台机器完

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lEd节能灯的基本概述及其特性

扰(普通灯管中含有汞和铅等元素,节能灯中的电子镇流器会产生电磁干扰) 5、保护视力:直流驱动,无频闪(普通灯都是交流驱动,就必然产生频闪) 6、发光效率高:发热小,90%的电

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120859.html2010/12/14 21:43:00

lEd在温室补光中的应用

显着优点:   直流低压供电。小功率彩色lEd的正向电压通常为1.5v~2.8v,大功率lEd的正向电压通常为3v~4v,远小于安全电压。   节能。钠灯和金属卤化物灯是气体放

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从lEd电镀看表面处理行业发展新契机

个晶片的时候,电子就会被推向p区,在p区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是lEd发光的原理。而光的波长决定光的颜色,是由形成p-n结材料的禁带宽度决定的。2.5

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