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led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

半导体照明市场:五万亿美元的诱惑

体照明计划则是从 2000 年到 2010 年,耗资 5 亿美元开发半导体照明;欧盟的“彩虹计划”已在 2000 年 7 月启动。我国科技部及时与世界同步,联合其他部委于去年 6

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274734.html2012/5/16 21:28:59

一种有效的中断输入和led动态显示方法

服以上缺陷,本文提出了在p1口的部分口线上实现2x8阵列的中断方式键盘输入和脱机硬件动态显示的新方法。2 原 理2.1 硬件设计硬件原理电路如图1所示。在8031(1c1)的p1.

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274733.html2012/5/16 21:28:56

多种串行接口技术在led大屏幕显示系统中的应用

关汉字的点阵字模代码。通信功能利用visualc++60提供的mscomm通信控件,把字体的字模信息(根据显示屏所需格式进行重排)通过串行口分段发送给单片机,单片机再通过12c总

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274732.html2012/5/16 21:28:53

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274731.html2012/5/16 21:28:51

光纤led驱动电路的设计

m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合物,不仅增

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274728.html2012/5/16 21:28:43

2048像素led平板显示器件的封装

d平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表1通过对比列出了国外几款led平板显示器主要技术性能。本文介绍了一种采用厚膜混合集成技术研制的2048像素(64×32)矩阵式led平

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274727.html2012/5/16 21:28:31

多种串行接口技术在led大屏幕显示系统中的应用

关汉字的点阵字模代码。通信功能利用visualc++60提供的mscomm通信控件,把字体的字模信息(根据显示屏所需格式进行重排)通过串行口分段发送给单片机,单片机再通过12c总

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274726.html2012/5/16 21:28:21

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

半导体照明市场:五万亿美元的诱惑

5 亿美元开发半导体照明;欧盟的“彩虹计划”已在 2000 年 7 月启动。我国科技部及时与世界同步,联合其他部委于去年 6 月正式紧急启动了“国家半导体照明工程

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