站内搜索
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体，研究了直接粘贴芯片的封装方式中，芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化，发现粘贴在基板靠近
https://www.alighting.cn/2014/4/23 11:15:41
提出了一种热传导高、热膨胀匹配良好、低成本、大功率、高亮度led封装技术。该技术采用光电子与微电子技术相结合,利用背面出光的led芯片,倒装焊接在有双向浪涌和静电保护电路的硅基
https://www.alighting.cn/2013/5/23 11:36:13
样，高亮度led也未能摆脱众多家庭和应用中常见的三端双向可控硅(triac) 调光器。本文将介绍一种具成本优势的高亮度led (hb led) 调光方
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125646.htm2013/5/6 15:13:18
iw3617融合了iwatt 的专利flickerless技术，可自动检测调光器类型和相位，从而实现了业内与模拟及数字调光器最广泛的兼容性。此外，该智能调光器接口不再需要加载可控
https://www.alighting.cn/resource/20121220/126246.htm2012/12/20 11:18:25
led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”，这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂
https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39
结合功率型gan 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
外，升压电源的组件更少，功率因数更好，体积更小，并且利用三端双向可控硅开关组件实现调光更容
https://www.alighting.cn/resource/20111123/126859.htm2011/11/23 14:50:52
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
全球市场上led芯片基片制造的主流技术是蓝宝石衬底技术和碳化硅衬底技术,它们分别属于日本日亚公司和美国cree公司。我国芯片制造企业大多使用日本日亚的蓝宝石衬底技术,但需要向日本
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127927.htm2010/7/12 16:21:15
一些物体，如锗、硅、砷化稼及大多数的金属氧化物和金属硫化物，它们既不象导体那样容易导屯，也不象绝缘体那样不易导电，而是介于导体和绝缘体之间，我们把它们叫做半导体。绝大多数半导体都
https://www.alighting.cn/resource/20100830/128297.htm2010/8/30 13:05:26
