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高压led的优缺点

了敷设连接各个led的导线,还要用绝缘层把这些沟槽填平,再按照串联或并联的要求而敷上相应的铝线。  二.高压led的性能指标  目前只知道台湾的晶元光电正在生产这种高压led,但是在

  http://blog.alighting.cn/binxuegandan/archive/2011/10/14/244609.html2011/10/14 8:39:01

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

内置电源led日光灯的缺点和问题

指在led负载端和220v输入端有直接连接,因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离,通常不容易通过ce和ul认证。 图2. 隔离式led日光灯电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258615.html2011/12/19 11:09:20

内置电源led日光灯的缺点和问题

指在led负载端和220v输入端有直接连接,因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离,通常不容易通过ce和ul认证。 图2. 隔离式led日光灯电

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261457.html2012/1/8 21:36:20

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

内置电源led日光灯的缺点和问题

指在led负载端和220v输入端有直接连接,因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离,通常不容易通过ce和ul认证。 图2. 隔离式led日光灯电

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262628.html2012/1/29 0:34:23

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

分析led灯具散热设计

碳,diamond like cabron)导热系数达到475w/mk用它取代mcpcb的环氧树脂/陶瓷的绝缘层,可将mcpcbd热传导率提升百倍。  3)设计时每一相关环节都要考虑热流向优

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268564.html2012/3/16 17:38:40

分析led灯具散热设计

碳,diamond like cabron)导热系数达到475w/mk用它取代mcpcb的环氧树脂/陶瓷的绝缘层,可将mcpcbd热传导率提升百倍。  3)设计时每一相关环节都要考虑热流向优

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