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led灯具出口陷低端困境 均价不及美日一半

要仍分布在封装、应用等中下游环节,上游的衬底、外延片、芯片很少涉足。而后者约占行业利润的70%,前者则只占到30%。泉州市led产业技术创新战略联盟理事长黄水桥指出,目前泉州有两

  http://blog.alighting.cn/110131/archive/2011/9/16/236553.html2011/9/16 10:24:32

aln缓冲层对algan表面形貌的影响

对后续外延层的结晶质量具有重要的影响,这也解释了algan表面形貌的形

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48

global foundries发表用于led驱动积体电路的bcdlitetm晶圆制程

aec-q100 group d高规格认证晶圆制程可应用于电力管理装置、音响扩大器、显示器、与led驱动积体电路。该项0.18um技术的基础是经过验证、用以大量制造消费者应用的制

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115501.htm2011/9/14 10:13:37

牛尾电机将投产“支持200mm晶圆”的三维封装装置

牛尾电机正在开展“ux4”曝光装置系列业务。该系列采用通用的模块型平台,配备全域等倍曝光镜头。由此,支持200mm晶圆,实现了高达120张/小时的吞吐量。该公司已投产led量产用

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115502.htm2011/9/14 10:06:24

2011年中国led市场增长23%,达58亿美元

师。另外,中国在led晶圆等核心环节及上游领域缺乏知识产权,也是一个严重问

  https://www.alighting.cn/news/20110914/90537.htm2011/9/14 9:24:45

三安光电gan基薄膜led获美国专利证书

三安光电称,此发明可改善蓝宝石衬底上gan基外延晶格质量及提高gan基led取光效率,有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32

2011年全球led设备支出案达77个

根据国际半导体协会(semi)日前公布的资料,全球晶圆厂2011全年资本支出将达到411亿美元,可说是史上最高纪录,而2012年将是史上次高。

  https://www.alighting.cn/news/20110913/100039.htm2011/9/13 12:00:36

氢化物气相外延自支撑gan衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

国内政府激励led照明产业发展

效的大功率白光led芯片的研发及产业化工作也正在加快推进。 福建led照明发展目标.在上游衬底、外延、芯片方面,支持led外延、芯片龙头企业追赶国际先进水平、扩大生产规模。加快推

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/9/9/236113.html2011/9/9 11:30:23

泉州市led照明争上游 从芯开始

从产业链的利润分布看,上游外延、芯片集中了60%—70%的利润,而led封装和led照明应用却分别只占有10%—20%的利润空间。那为什么不少泉州光电企业仍愿意从事利润较低的le

  https://www.alighting.cn/news/20110909/100460.htm2011/9/9 9:39:57

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