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长过程中，掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱，通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白光。该方法提高发光效率，可降低成本，降低包装及电路的控制难度；但技术难度相对较大。7.开发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
致串联电阻增大，还有si吸收可见光会降低led的外量子效率。因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型gan欧姆电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
联电阻增大，还有si吸收可见光会降低led的外量子效率。因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型gan欧姆电极制备技
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
级lif/al/lif/ al 量子阱[4]阴极结合起来，以及对其它结构如alq3/al，alq3/lif/al和 alq3/al/lif/al等，人们也有相当多的研究。众所周知，基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
起的。 1. 内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100%都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使pn区载流子的复合率降低。泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00
除gaas衬底,代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
小。 （2）温度升高，势阱中电子与空穴的辐射复合几率降低，造成非辐射复合（产生热量），从而降低led的内量子效率。 （3）温度升高导致芯片的蓝光波峰向长波方向偏移，使芯
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新台阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱,通过不同量子阱发出的多种光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
期才逐渐成熟和完善起来。esaki 60年代提出超晶格的设想也直到80年代才得到大量应用。量子阱激光器就是最好的例证。mocvd制造技术在80年代末90年代初得到突飞猛进的发展,随
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
所必须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代，我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场。3.１、ｌｅｄ芯片芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230472.html2011/7/20 23:07:00
