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在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长gan材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
采用x射线多功能四圆衍射仪测绘出gan/gaas(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127171.htm2011/9/9 9:03:08
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
w光效的大功率白光led芯片的研发及产业化工作也正在加快推进。 福建led照明发展目标. 在上游衬底、外延、芯片方面,支持led外延、芯片龙头企业追赶国际先进水平、扩大生产规模。加
http://blog.alighting.cn/daoke3000/archive/2011/9/8/236019.html2011/9/8 13:48:46
目前,国内大部分的外延芯片企业涉及到led显示屏的领域,显示屏领域成为国内led芯片企业的重要的应用终端,那么如何提高led显示屏的发光效率成为一个重要的课题。
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127181.htm2011/9/7 17:10:36
近日,德国aixtron se公司收到了来自江苏璨扬光电有限公司的订单,订购四台crius ii型、具备生产55×2英寸led外延片能力的mocvd设备。
https://www.alighting.cn/news/20110907/114672.htm2011/9/7 9:51:28
led应用市场扩增,除了金属有机物化学气相外延(mocvd)机台供不应求,造成芯片产能不及开出,上游芯片材料蓝宝石衬底也告急缺货。isuppli公司警告,2010年全球led供
http://blog.alighting.cn/pentiumD/archive/2011/9/6/235667.html2011/9/6 19:58:40
片有良好的外延关系
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后gan材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
司、led研发中心成功招募到:总经理/副总经理、研发部经理/技术主管、研发总工、外延片工程师、芯片工程师、封装工程师、制程工程师、结构工程师、光学工程师、电子工程师、驱动电源工程师
http://blog.alighting.cn/108092/2011/9/6 8:44:34