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led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

倒装芯片衬底粘接材料对大功率led热特性的影响

针对倒装芯片(flipchip)大功率发光二极管器件,描述了大功率led器件的热阻特性,建立了flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线,以三类典型粘

  https://www.alighting.cn/resource/2009316/V782.htm2009/3/16 11:19:37

肖国伟:通过芯片与模组光源创新技术路线

随着led效率提升,中上游led产业的技术重点将逐步向降低成本、提升led器件性能方面发展。未来以led外延、芯片、封装材料为核心的中上游led技术,仍然是技术发展的重点。如果没

  https://www.alighting.cn/news/20100515/85869.htm2010/5/15 0:00:00

王良臣:高效大功率led芯片关键工艺技术

院半导体研究所王良臣研究员做了题为《高效大功率led芯片关键工艺技术》的报

  https://www.alighting.cn/news/20080125/102993.htm2008/1/25 0:00:00

led芯片厂营收总额创新高达49.7亿元

据统计,2010年7月台湾上市上柜led厂商营收总额约新台币108.53亿元,较6月营收105.6亿元上升2.7%,年增率80%。其中led芯片厂7月营收总额为49.7亿元,较6

  https://www.alighting.cn/news/20100817/105907.htm2010/8/17 0:00:00

东莞led产业发展不均台资led芯片厂进驻加持

广东省东莞市规划的led产业链正加快成型,预计2015年将贡献人民币150亿的产值,同时鉴于东莞led产业多为下游封装厂,希望能引入具实力的台资led芯片厂进驻加持。目前,东莞

  https://www.alighting.cn/news/20100209/106329.htm2010/2/9 0:00:00

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