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大功率GaN基白光led荧光层失效机理研究

芯片和封装材料膨胀系数不匹配造成的界面应力、长时间蓝光照射引起的光降解和光热耦合作用造成了器件灾变性失效。

  https://www.alighting.cn/resource/20141219/123897.htm2014/12/19 9:41:29

新世纪光电blue inGaN/ GaN led qg38 (38x38) chips规格说明书

  https://www.alighting.cn/2011/11/21 14:47:47

威宝将公布oled领域新突破与高亮度GaN led灯

威宝最新系列的velve oled灯,这一系列融合了全世界最先进的可调光和色彩调节oled技术。威宝最新的轻型velve组模可以发出高达2000cd/m2的可直视光照——两倍于之前

  https://www.alighting.cn/news/201334/n827249346.htm2013/3/4 11:11:15

GaN 基功率型led芯片散热性能测试与分析

与正装led相比 ,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势 。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试 ,对其散热性能进行了分析。

  https://www.alighting.cn/news/20091221/V22251.htm2009/12/21 7:55:36

“10.6%”成为GaN led营收最后的两位数增长数字

得益于照明以及平板电脑和手机的背光需求,2013年全球氮化镓led营收从2012的112亿美元增至124亿美元,增幅为10.6%,但这将是该市场最后一次市场两位数增长,到2014年

  https://www.alighting.cn/news/20140219/98146.htm2014/2/19 9:53:42

日企三菱优先投资白色led,力争2015年独佔GaN底板市场

近日,日本三菱化学召开了经营方针说明会,宣佈今后将优先投资白色led及车载鋰离子充电电池材料两大领域。该公司08年5月便发佈了中期经营计划,但受最近经营环境恶化的影响,此次又推出了

  https://www.alighting.cn/news/20081211/107379.htm2008/12/11 0:00:00

micro led:晶能光电硅衬底GaN基技术的又一重大应用机会

因具有超高解析度,高色彩饱和度,纳秒级响应时间以及低功耗等优点,micro led成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国际大

  https://www.alighting.cn/news/20180823/158156.htm2018/8/23 9:41:53

日本一研究机构将zno类紫外led功率提高至100μw

 东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示,此项成果明确了追赶GaN类产品的前进道路。   据了解,制造led元件时采用了mbe(分子束外延)法,并开发出了不使用自由基

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00

in组分对inGaNGaN蓝光led的发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k~16

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28

inGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究

对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明pssleds具有较高的晶体质量。

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07

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