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术优势和质量优势。 3、t5 he/ho型稀土三基色荧光灯的体积只是t8产品的57%，更加节约资源；发光效率高达103lm/w，节约能源；显色指数≥82，亮度高；替代t8荧光
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293649.html2012/10/19 21:23:36
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293760.html2012/10/19 22:30:40
用bicmos工艺设计的pwm高效led驱动控制芯片。它在输入电压从8v(dc)到450v(dc)范围内均能有效驱动高亮度led。该芯片能以高达300khz的固定频率驱动外部mos-fe
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133822.html2011/2/19 23:15:00
4是采用bicmos工艺设计的pwm高效led驱动控制芯片。它在输入电压从8v(dc)到450v(dc)范围内均能有效驱动高亮度led。该芯片能以高达300 khz的固定频率驱动外
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133838.html2011/2/19 23:22:00
饰照明、建筑照明和离线led灯等。 2 引脚功能及主要特点 hv993l采用8引脚soic和dip封装，引脚排列如图1所示。引脚功能如表1所列。 hv9931的主要特
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134166.html2011/2/20 23:15:00
高系统的性价比，因为多数sot23封装的ldo带有关断控制，从而省去了图1电路中控制led通/断或pwm亮度调节的n沟道MOSFET。另外，ldo还具有较宽的输入电压范围，当与其它电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/19/179638.html2011/5/19 0:23:00
续方式工作。ap1661的图腾柱驱动输出能够为外部MOSFET或igbt提供最大600ma驱动电流和800ma关断电流能力。采用了先进的双极型互补金属氧化物半导体设计和制造工艺,具
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229872.html2011/7/17 22:50:00
s工艺设计的pwm高效led驱动控制芯片。它在输入电压从8v(dc)到450v(dc)范围内均能有效驱动高亮度led。该芯片能以高达300khz的固定频率驱动外部mos-fet。且
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230162.html2011/7/19 0:19:00
用bicmos工艺设计的pwm高效led驱动控制芯片。它在输入电压从8v(dc)到450v(dc)范围内均能有效驱动高亮度led。该芯片能以高达300 khz的固定频率驱动外部mos－fe
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230290.html2011/7/19 23:43:00
明和离线led灯等。2 引脚功能及主要特点hv993l采用8引脚soic和dip封装，引脚排列如图1所示。引脚功能如表1所列。hv9931的主要特点如下：●利用一个单级pfc降升
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230486.html2011/7/20 23:14:00
