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电源质量问题的危害因素分析

、导线更细。几年前,一平方厘米的计算机芯片有2,000个晶体管而现在的奔腾机则超过10,000,000个。从而增加了计算机受电涌损坏的概率。由于计算机的设计和结构决定了它应在特

  http://blog.alighting.cn/143340/archive/2013/5/22/317776.html2013/5/22 20:43:51

采用mocvd方法在gaas衬底上生长zno和zno薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(100

  https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08

生长温度对si衬底zno薄膜结构的影响

m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06

科学家成功研发出彩色又高效的硅基led

来自德国卡尔斯鲁厄理工学院和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米晶体,成功制造出了高效的硅基发光二极管(sileds),该二极管不含重金属,却能够发射出多种颜色的光。

  https://www.alighting.cn/news/2013513/n763051642.htm2013/5/13 15:25:09

人工欧泊填充inp后的形貌和反射谱特性

制备了人工opal晶体模板,运用mocvd方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了mocvd生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显

  https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41

过渡层对ge衬底gaas外延层晶体质量的影响

究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量gaas单晶层生长条

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44

氧分压对pld制备zno薄膜结构和发光性质的影响

采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气

  https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11

基于有限元法的发光二极管光学传播模型

应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光

  https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36

低成本封装引领led第三波成长

直led架构、飞利浦依旧偏爱薄膜覆晶,然而他们也去除了蓝宝石晶体、cree使用不同的覆晶接线技术。虽然飞利浦使用晶球凸点技术,cree则使用低温溶晶,进一步降低成本,并更能增进接触热

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11

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