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日本电子材料/零件商tamura已中止研发使用氧化镓(gallium oxide)基板的led。
https://www.alighting.cn/news/20160114/136389.htm2016/1/14 9:36:53
GaN在 (0 0 0 1)方向是一种极性极强的半导体材料 ,它具有极强的表面特征 ,是目前发现的最好的压电材料 ,而GaN的极性呈现出体材料的特征 ,它的测量要用一些特殊的方
https://www.alighting.cn/resource/20110423/127701.htm2011/4/23 18:39:53
宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
三菱化学(mitsubishi chemical)计划藉由采用所谓的“液相法”的制造手法量产使用于照明用白色led的氮化镓(GaN)基板。
https://www.alighting.cn/news/2011915/n658734484.htm2011/9/15 10:16:19
产功率型氮化镓蓝led芯片和超大功率模组芯片（5w、10w、15w、30w等）为主。今天主要推荐：产品型号： apt-b5501ab-v www ll的1w 氮化镓蓝光led倒装芯
https://www.alighting.cn/pingce/20101016/123235.htm2010/10/16 18:31:30
台湾国立成功大学和金铝公司今天签约共同投资生产氮化铝，也是台湾第一个氮化铝产业；金铝公司表示，台湾氮化铝都是从外进口，自己产制后，氮化铝成本预计降低3成。
https://www.alighting.cn/news/20091009/108314.htm2009/10/9 0:00:00
台湾虽已成世界led生产的重镇，但其主要发光专利仍掌握在日(如nichia)、美(如cree)、欧(如osrams)等大公司的手中。更有甚者，mocvd生长的led磊晶(如氮化
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种led芯
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
GaN 芯片的产能主要集中在台湾和日本，但中国大陆和韩国产能增长迅速，也成为重要的生产区域。
https://www.alighting.cn/news/20060831/92234.htm2006/8/31 0:00:00
