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普瑞与东芝研发8英寸硅基氮化led芯片实现突破

议短短几个月后,两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化led芯

  https://www.alighting.cn/pingce/20120521/122494.htm2012/5/21 15:07:16

中科院知识创新工程重要方向项目“氮化基激光器”通过验收

中国科学院知识创新工程重要方向项目“氮化基激光器 (kgcx2-sw-115)”于2007年11月26日通过专家验收。

  https://www.alighting.cn/news/20080102/102620.htm2008/1/2 0:00:00

晶电控告广专利侵权案判决出炉,广胜诉

昨日,晶电(2448)控告广(8199)专利侵权案判决出炉!智财法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/20090922/105602.htm2009/9/22 0:00:00

GaN的极性特征、测量及应用

GaN在 (0 0 0 1)方向是一种极性极强的半导体材料 ,它具有极强的表面特征 ,是目前发现的最好的压电材料 ,而GaN的极性呈现出体材料的特征 ,它的测量要用一些特殊的方

  https://www.alighting.cn/resource/20110423/127701.htm2011/4/23 18:39:53

tamura中止研发氧化基板led

日本电子材料/零件商tamura已中止研发使用氧化(gallium oxide)基板的led。

  https://www.alighting.cn/news/20160114/136389.htm2016/1/14 9:36:53

p型GaN欧姆接触的研究进展

宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几

  https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53

三菱化学将量产白色led用GaN基板

三菱化学(mitsubishi chemical)计划藉由采用所谓的“液相法”的制造手法量产使用于照明用白色led的氮化(GaN)基板。

  https://www.alighting.cn/news/2011915/n658734484.htm2011/9/15 10:16:19

蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究

采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表

  https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55

apt-b5501ab倒装芯片[广州晶科]

产功率型氮化蓝led芯片和超大功率模组芯片(5w、10w、15w、30w等)为主。今天主要推荐:产品型号: apt-b5501ab-v www ll的1w 氮化蓝光led倒装芯

  https://www.alighting.cn/pingce/20101016/123235.htm2010/10/16 18:31:30

台湾首例氮化铝投资 led成本降3成

台湾国立成功大学和金铝公司今天签约共同投资生产氮化铝,也是台湾第一个氮化铝产业;金铝公司表示,台湾氮化铝都是从外进口,自己产制后,氮化铝成本预计降低3成。

  https://www.alighting.cn/news/20091009/108314.htm2009/10/9 0:00:00

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