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采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法，系统研究了不同应力作用下GaN的电子结构和光学性质，对比分析了外压调制对GaN的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123550.htm2015/3/2 11:45:19
测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的GaN 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
对inGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化，发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小，绿光led到6小时隧穿电流最小。
https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34
本文采用高温固相法合成sr2si5n8:eu2+荧光粉。在原有工艺的基础上，采用优化合成工艺以及掺杂微量元素等方式，有效的提升了荧光粉的初始性能和应用性能。
https://www.alighting.cn/2015/2/28 11:27:15
将氮化镓薄膜成长于矽基板之“二硼化锆(zrb2)缓冲层制程技术与设备
https://www.alighting.cn/news/20150224/97159.htm2015/2/24 12:05:52
对GaN基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究，GaN基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高，但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00
xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00
产的高科技企业。公司硅衬底led芯片创造性地使用硅代替蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化镓基led器件，结合了具有自主知识产权的高效GaN外延技术和芯片技术，是目前全球唯一可以量产硅衬
http://blog.alighting.cn/207028/archive/2015/2/6/365492.html2015/2/6 10:18:24
本文详细介绍了led芯片的相关知识，有兴趣的同学可以跟着小编的脚步一起学习噢！
https://www.alighting.cn/resource/20150202/123650.htm2015/2/2 15:02:27
