站内搜索
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
直led架构、飞利浦依旧偏爱薄膜覆晶，然而他们也去除了蓝宝石晶体、cree使用不同的覆晶接线技术。虽然飞利浦使用晶球凸点技术，cree则使用低温溶晶，进一步降低成本，并更能增进接触热
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58
面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
延生长概念(中国专利：cn03118956.3)，将gan薄膜材料缺陷密度降低一个数量级、迁移率提高到800cm2/vs，led亮度从3mw提高到6mw，产品处于国内领先水平。
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51
电薄膜，无玻璃导电厚膜和电磁屏蔽材料)。 发明了炭黑导热膏(已获得专利)，用于电磁屏蔽的金属丝(已获得专利)。编著了《电子包装》(butterworth-heineman
http://blog.alighting.cn/ddlchung/archive/2013/4/24/315460.html2013/4/24 18:04:48
3)衬底上生长的algan/gan超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。x射线衍射结果表明,gan基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、p掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、p掺杂分别得到n、p
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
取技术和透明导电薄膜，可适用于oled照明应
https://www.alighting.cn/news/2013418/n735350763.htm2013/4/18 11:13:52
3)，将gan薄膜材料缺陷密度降低一个数量级、迁移率提高到800cm2/vs，led亮度从3mw提高到6mw，产品处于国内领先水平。 2004年开发出大功率芯片的p-algan阻挡
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
