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年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262595.html2012/1/29 0:32:32
c，即可通过一个pwm信号、dc电压或外部nmos晶体管来完成调光操作，调光范围可高达3000:1。 最后，车载电子产品可能对噪声很敏感，尤其是导航系统、无线电路和am无线电波段接
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262588.html2012/1/29 0:31:54
0 ） 。 普通调光器大多只适用于热辐射光源的调光。气体放电灯用的调光器结构较为复杂。如荧光灯调光器，采用阻抗可变式电路或改变输入电压等方法调光,调光范围太小。若使用大功率晶体管或场效应
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261928.html2012/1/8 22:46:20
向出光利用率。 1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标，tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收（有源区吸收和自由截流子吸收等）引起的
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
属线熔化、发热、高功率、闩锁效应其可见性不强损坏位置不易发现,短的eos脉冲损坏看起来像esd损坏通常导致晶体管级别的损坏。四、静电防护1.设定静电区域说明:在生产现场设定静电敏
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261542.html2012/1/8 21:49:00
光管。而目前最新的工艺是用混合铝（al）、钙（ca）、铟（in）和氮（n）四种元素的algainn 的四元素材料制造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261534.html2012/1/8 21:48:44
d,hfbr－24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261517.html2012/1/8 21:47:31
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261502.html2012/1/8 21:46:50
前最新的製程是用混合铝(al)、钙(ca) 、銦(in)和氮(n)四种元素的algainn 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。发光强度：发
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02
点为：● 具有８通道功率ｄｍｏｓ晶体管输出，每个通道可连续输出１５０ｍａ的电流；● 各输出回路导通电阻低至５ω；● 每个输出通道典型限定能力为５００ｍａ；● 输出端为ｏｃ门形式，外
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261464.html2012/1/8 21:39:05
