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晶能光电硅衬底GaN大功率LED芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN大功率LED芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的LED芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/2014620/n298263171.htm2014/6/20 13:58:42

合肥彩虹蓝光高亮度氮化镓LED外延片试产成功

合肥彩虹蓝光LED项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设,经过一年奋战, 实现了首批高亮度氮化镓LED外延片的一次试产成功。

  https://www.alighting.cn/news/20110927/116152.htm2011/9/27 13:34:51

晶能光电举行新一代硅大功率LED芯片产品发布会

6月12日,晶能光电(江西)有限公司新一代硅大功率LED芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28*28、35*35、45*45和55*55在内的四款硅

  https://www.alighting.cn/news/2012627/n168540848.htm2012/6/27 16:58:02

华灿光电股份有限公司王江波: 创新性光源——inGaNLED芯片技术研究与展望

王江波也指出了ingamLED芯片技术研究重点与挑战,主要表现在减弱或消除droop效应、提高提取效率、绿光LED效率提升等三个方面。

  https://www.alighting.cn/news/20140610/87370.htm2014/6/10 11:11:44

2011年GaN LED市场仅增长1% 至87亿美金,企业利润不容乐观

经过2010年60% 的高速增长,ims research认为2011年的GaN LED市场趋于平缓,仅增长1% 至87亿美金。主要原因有:占据 60% GaN LED营收的背

  https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49

n极性GaN薄膜的mocvd外延生长

采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

于有限元分析法的激光剥离技术中GaN材料瞬态温度场研究

尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究,GaN发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高,但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00

新一代GaN衬底技术 可大大提升LED制造良率

一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra,日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极

  https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00

华耀推出高效LED驱动电源ewh60-200w系列

华耀继开发完成高效系列ewp60-200w之后,在此础上又开发出高效加强版ewh系列,主要应用于LED路灯、隧道灯、景观照明等室外照明,此系列比ewp系列效率更高,最高效率高

  https://www.alighting.cn/pingce/20130516/122100.htm2013/5/16 18:05:33

GaNLED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

采用x光双晶衍射仪分析了GaN发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55

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