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本论文主要围绕提高g8N基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gaN基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gaN薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
mcob 技术，即多杯集成式cob 封装技术，是led 集群封装技术英文muilti chips oN board 的缩写，cob 技术是在基板上把N个芯片集成在一起进行封装，然
https://www.alighting.cn/resource/20130315/125879.htm2013/3/15 10:18:44
压△vf 是N 颗led 的总和。led 灯具选用36v 以下的交流电源可以考虑非隔离供电，如选用220v 和100v 的交流电源应考虑隔离供
https://www.alighting.cn/2013/3/6 10:10:47
《看见》栏目，柴静专访周星驰，话题是星爷最近推出的“西游降魔篇”，耗时N年，费力多多，但还是个翻拍，所以，自然会有“江郎才尽”的诘问，类似的话题自始至终，毕现了柴记一贯的犀利、甚
http://blog.alighting.cn/1016/archive/2013/2/26/310180.html2013/2/26 11:58:42
d光源工作特点照明用led光源的vf电压都很低，一般vf =2.75-3.8v，if在15-1400ma;因此led驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1， if恒流在15
http://blog.alighting.cn/85771/archive/2013/2/18/309731.html2013/2/18 13:16:05
目m 与变压器变比N 对恒流效果的影响，为m 与 N 合理选择提供了依据，仿真与实验验证了优化设计的正确
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:37:23
研究了热退火对iNgaN/gaN多量子阱led的Ni/au p gaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/au接触特性显示出可逆现象。Ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
y of commerce, New zealaNd 经过以上其中之一认证受理机构颁发证书后，打上认证公司缩写代码和登记证号即为”安全标示”，例如 “N12345”, 表示由Ns
http://blog.alighting.cn/85771/archive/2013/1/29/308903.html2013/1/29 13:22:08
http://blog.alighting.cn/lcsemma/archive/2013/1/26/308734.html2013/1/26 9:37:52
由镓(ga)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365Nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gaN主要应用于光元件。通过混合铟(iN)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
