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素发光管。而目前最新的製程是用混合铝(AL)、钙(ca) 、銦(in)和氮(n)四种元素的ALgainn 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120886.html2010/12/14 21:52:00
n（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目前最新的工艺是用混合铝(AL)、钙(ca) 、铟(in)和氮(n)四种元
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
基mqw结构。使用三甲基镓（tmga）为ga源、三甲基铝（tmai）为AL源、三甲基铟（tmin）为in源、氨气（nh3）为n源、硅烷（sih4）和二茂镁（cp2mg）分别用作n型和
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和sic两种）上，气态物质in,ga,AL,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
表。1987年tang c w首先采用此种化合物ALq3实现较高效率的有机电致发光器件。常见的此类物质有:ALq3, AL mqs , zn( 5 fa) 2, be bq2等。此类发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
命越长。 a．单层金属阴极如ag 、AL 、li 、mg 、ca 、in等。 b．合金阴极将性质活泼的低功函数金属和化学性能较稳定的高功函数金属一起蒸发形成金属阴极、如mg
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
yag：ce（y3AL5o12: ce）荧光粉早在20世纪60年代就已被研制出来，并且被应用于阴极射线飞点扫描管中（阴极射线荧光粉的牌号为p46），它主要是利用该荧光粉的超短余
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120516.html2010/12/13 22:50:00
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底： ·蓝宝石（AL2o
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
o3）(%) ≤0.003 二氧化硅（sio2） % ≤0.03 二氧化钛 (tio2) % ≤0.002 三氧化二铝 （AL2o3）% ≤0.002 氧化钠（na
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/10/119544.html2010/12/10 8:58:00
等特点。将纳米氧化锆与其他材料（AL2o3 、sio2 ）复合，可以极大地提高材料的性能参数，提高其断裂韧性、抗弯强度等。因此，纳米二氧化锆不仅应用于结构陶瓷和功能陶瓷领域，也应用
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/10/119535.html2010/12/10 8:56:00
