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通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
三菱化学试制出了尺寸约为长20mm×宽12mm的大尺寸m面GaN底板。
https://www.alighting.cn/resource/20070920/128532.htm2007/9/20 0:00:00
附件为《硅衬底GaN基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
者采访时表示，细分化封装器件是philips lumileds未来的方
https://www.alighting.cn/news/2012327/n140638440.htm2012/3/27 9:04:48
3月31日，国星光电发布公告宣布正在筹划投资10-20亿元建设封装器件及应用产品产线及配套设施，以扩充产能并加大mini led等新兴领域的布局及发展。
https://www.alighting.cn/news/20200401/167495.htm2020/4/1 12:56:26
相对普通电力电子器件而言，照明应用要求器件参数随温度的变化率尽可能小;目前，国内功率器件厂商正向高端产品线迈进，力图改变我国高端电力电子器件市场被国外大厂所左右的格局。
https://www.alighting.cn/news/200872/V16376.htm2008/7/2 10:38:58
2004年7月23日，为了适时配合“国家半导体照明产业工程”的启动，进一步推动光电子器件在光存储、光纤技术领域的应用、支撑光电子器件的产业发展，做好光电子器件的标准化工作，光电
https://www.alighting.cn/news/20040826/102594.htm2004/8/26 0:00:00
本文通过对椭偏光谱的理论计算，拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子震荡的频率及阻尼常量，并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。
https://www.alighting.cn/2015/3/20 10:15:14
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
