激光剥离技术实现垂直结构GaN 基led

为改善GaN 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度

  https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49

半导体景观照明与2008工程

  https://www.alighting.cn/resource/20050720/128878.htm2005/7/20 0:00:00

半导体照明与2008场馆的节能

  https://www.alighting.cn/resource/20050720/128879.htm2005/7/20 0:00:00

蓝宝石衬底的图形化技术在GaN基led上的应用

针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和GaN存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14

【专业术语】外延生长（epitaxial growth）

外延片生长是指：在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。

  https://www.alighting.cn/resource/20101231/128112.htm2010/12/31 10:57:06

新型电极材料石墨烯在led中的应用

近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在GaN基led中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le

  https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49

国标委下达《半导体照明术语》等48项国标修订计划

2013年4月25日，国家标准化管理委员会在其官方发展上发布了《关于下达等48项国家标准制修订项目计划的通知》，《通知》全文如下

  https://www.alighting.cn/2013/4/28 9:51:40

金属-n型氧化锌纳米薄膜接触特性的研究

zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56

基于视觉功效学的室内半导体智能照明

本文介绍led在照明中的应用的潜能，和led的优势跟挑战，并分析led照明设计对于人的视觉的影响，以及光的非视觉生物效应的意义，基于人体自然光节律的照明控制研究，非视觉生物效应的评

  https://www.alighting.cn/resource/2011/9/22/1831_81.htm2011/9/22 18:03:01

半导体行业2015年年度投资策略（2）

自2007 年苹果推出第一代iphone 以来，智能手机已经走过7个年头，至2014年出货量达到12.52 亿部，渗透率为63%。随着渗透率超过六成，行业逐步走向成熟，增速开始放缓

  https://www.alighting.cn/2015/1/20 14:54:23