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尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究，GaN基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高，但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
三菱化学试制出了尺寸约为长20mm×宽12mm的大尺寸m面GaN底板。
https://www.alighting.cn/resource/20070920/128532.htm2007/9/20 0:00:00
附件为《硅衬底GaN基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
本文通过对椭偏光谱的理论计算，拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子震荡的频率及阻尼常量，并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。
https://www.alighting.cn/2015/3/20 10:15:14
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽sic、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓GaN，中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石，而就全球范围来看，蓝宝石衬底的led市场份
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56
tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米GaN hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟GaN基倒装led芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
2007年6月7日，澳大利亚bluglass公司称其在直径6英寸镀膜玻璃晶片上沉积的GaN发出蓝光，这在世界上是第一次。大尺寸玻璃晶片上高质量led材料的沉积技术的进步可能最终带
https://www.alighting.cn/resource/20070611/128507.htm2007/6/11 0:00:00
