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2007年5月24日，台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮(hb)ga
https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/news/20081006/119664.htm2008/10/6 0:00:00
2007年3月2日，松下(panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光led芯片，其在350ma下的总辐射通量为355mw，外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月
https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00
GaN是优越的iii-v族直接带隙半导体材料，是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。GaNg基光电子器件的制备和工
https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05
昨(7)日，科锐(cree)宣布与安森美半导体(on semiconductor)签署多年期协议，将为安森美半导体生产和供应wolfspeed碳化硅(sic)晶圆片。
https://www.alighting.cn/news/20190808/163734.htm2019/8/8 9:31:44
对前期工作中使用crosslight apsys软件模拟的6种优化电极的GaN基inGaN/GaN多量子阱蓝光led芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进
https://www.alighting.cn/2011/12/6 16:52:22
瑞士半导体光源开发商exalos公司已经成功测试氮化镓(GaN)超辐射发光二极管(sled)的寿命，在特定测试条件下，sled寿命预计能达到5000小时以上。exalos公司表
https://www.alighting.cn/news/20160218/137029.htm2016/2/18 10:09:47
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，GaN/si基器件成为一个研究热点。然而, GaN与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的GaN蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
