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全球八大led厂商

1,cree著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射

  http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/6/18/278893.html2012/6/18 9:44:56

解析 led照明灯具价格持久不降的原因

们没有掌握核心技术,尽管我们led应用产品制造能力在全球占到50%,份额占到50%,但利润确实最低的一环。   led芯片 随工艺、数量增长采用更大尺寸晶圆片制作工艺,会不断的降低成

  http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275217.html2012/5/20 20:35:31

解析 led照明灯具价格持久不降的原因

们没有掌握核心技术,尽管我们led应用产品制造能力在全球占到50%,份额占到50%,但利润确实最低的一环。   led芯片 随工艺、数量增长采用更大尺寸晶圆片制作工艺,会不断的降低成

  http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275014.html2012/5/20 20:20:01

功率型led封装技术的关键工艺分析

而产生沉淀以及分配器精度等因素的影响,此工艺荧光粉的涂布量均匀性的控制有难度,导致了白光颜色的不均匀。   2、片光电参数配合:半导体工艺的特点,决定同种材料同一晶圆芯片之间都可

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

高亮度led封装工艺技术及方案

l bonding),将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走,并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面,帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

浅谈led產生有色光的方法

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化鎵)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称为二元素发光管。而目

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47

led芯片降价空间大 可通过三种途径

电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274714.html2012/5/16 21:27:45

led知识概述

6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274710.html2012/5/16 21:27:34

led灯具产品十问十答

、普瑞、晶圆等厂家led设计的灯具有什么区别?a:首先是价格区别;日亚的led价格是目前市场上最贵的,台湾和国内的led是较为便宜的。第二是性能区别;并不是采用了国际大厂led的灯

  http://blog.alighting.cn/mqycc21/archive/2012/5/12/274265.html2012/5/12 16:23:55

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