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mocvd生长gan基蓝光led外延片的研究

ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量比是

  https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18

2006年大陆半导体照明产业最新数据

截至 2006 年 12 月,我国有十余家外延芯片厂商已经装备 mocvd ,投入生产的总计数量为 40 台。按照各厂商的扩展计划, 2007 年预计另有 15 台 mocvd 陆

  https://www.alighting.cn/news/20070618/92240.htm2007/6/18 0:00:00

vishay 新款led 用超亮InGaN技术

日前,vishay 宣布,推出一款新型白光、无散射的3mm led--vlhw4100,该led针对高端应用进行了优化,可满足应用对极高发光强度的要求。

  https://www.alighting.cn/news/201092/V25031.htm2010/9/2 10:22:20

[研发故事] 率先让蓝色led发光的赤崎和天野(下)

赤崎和天野研究室于1992年在未使用InGaN单晶的情况下,制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13

在蓝光led和激光器外延片上消除弯曲

本文通过实验,仔细研究了衬底特性、生长温度和应变补偿层对晶片弯曲的影响。以改善光输出的均匀性。

  https://www.alighting.cn/resource/20141110/124115.htm2014/11/10 11:41:33

高亮度led之“封装热导”原理技术

过去led只能拿来做为状态指示灯的时代,其封装散热从来就不是问题,但近年来led的亮度、功率皆积极提升,并开始用于背光与电子照明等应用后,led的封装散热问题已悄然浮现。

  https://www.alighting.cn/resource/20110504/127670.htm2011/5/4 13:57:03

创新性光源-InGaN基led芯片技术研究与展望

附件为《创新性光源-InGaN基led芯片技术研究与展望》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20150615/130157.htm2015/6/15 16:53:41

国产芯片销售首次突破35亿元

led国产芯片销售首次突破35亿元。

  https://www.alighting.cn/news/20060412/91067.htm2006/4/12 0:00:00

osram发表绿色led,改善了「droop」现象

近日,德国欧司朗光电半导体(osram opto semiconductors)在「icns-7」展会上发表一款绿色led。该款绿光led芯片在1a驱动下,光通量为191lm、发光

  https://www.alighting.cn/news/20070921/94185.htm2007/9/21 0:00:00

丰田合成新白光led发射器直指航空照明

日本丰田合成(toyoda gosei)称其“aerospace white”中功率表面贴装led在分档上存在问题,这一对拥有不同性能的芯片进行分类的过程已成为过去,丰田合成最新产

  https://www.alighting.cn/news/20070712/116425.htm2007/7/12 0:00:00

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