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将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进行了对
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
led作为一种出现时间最晚的照明技术，其优点不仅体现在发光质量方面，在生产、制造、易用性方面都要大大超越白炽灯、荧光灯等传统光源。受到荧光灯发光原理的启发，led生产商通过在高亮度
https://www.alighting.cn/2013/12/6 15:47:42
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对其老
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
美满电子科技(marvell)今日宣布推出marvell? 88em8183深度调光单级交流/直流led驱动器集成电路(ic)。88em8183 led驱动器ic提供业界最广泛的调
https://www.alighting.cn/2012/9/19 16:46:53
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
关于“光通量的大小”，计划一个封装实现1000lm以上的光通量。对产品厂商而言，在采用多个白色led的用途方面，具有可减少部件数量、提高产品设计自由度等优点。光通量超过1000lm
https://www.alighting.cn/resource/20110628/127487.htm2011/6/28 13:56:53
国星光电财报显示：报告期实现营业收入2.48 亿元，同比增长39.78%2011 年第一季度公司实现营业收入2.48 亿元，同比增长39.78%;
https://www.alighting.cn/resource/20110506/127651.htm2011/5/6 17:22:28
公司拟同意在士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2-3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500万元。
https://www.alighting.cn/resource/20100805/127925.htm2010/8/5 10:10:08
https://www.alighting.cn/resource/20100919/128023.htm2010/9/19 16:13:23
