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led芯片降价空间大 可通过三种途径

样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00

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样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258536.html2011/12/19 10:58:43

led芯片降价空间大 可通过三种途径

样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261531.html2012/1/8 21:48:34

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  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262704.html2012/1/29 0:38:54

led芯片降价空间大 可通过三种途径

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  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271806.html2012/4/10 23:37:11

led芯片降价空间大 可通过三种途径

样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274714.html2012/5/16 21:27:45

led材料发展时间表

0nm的蓝光led的外量子效率可以达到34.9%。  2007年,美国的cree公司,在SiC衬底上生长双异质结,制作的器件同样很出色,SiC衬底可以把gabl基led的金属电极制

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22

led的外延片生长技术

用两步工艺生长gan外延片层。然后对外延片膜进行选区刻蚀,一直深入到衬底。这样就形成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan外延片层的生长,此时生长的ga

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00

氮化镓衬底及其生产技术

体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过hvpe方法在其他衬底(如al2o3、SiC、lgo)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

酒店客房壁灯安装方法技巧

或通过印胶辊间接与工作面接触,通过工件等带动胶辊转动把胶液涂在粘接面上。欲达到不同的涂胶效果,胶辊麦面可以开出不同的沟槽和花纹,也可以用改变胶辊压力或用刮板控制涂胶量。胶辊可以用橡

  http://blog.alighting.cn/gzds3142/archive/2013/4/1/313165.html2013/4/1 16:00:57

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