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外，升压电源的组件更少，功率因数更好，体积更小，并且利用三端双向可控硅开关组件实现调光更容
https://www.alighting.cn/resource/20111123/126859.htm2011/11/23 14:50:52
明要求(如三端双向可控硅开关元件(triac)调光)
https://www.alighting.cn/2011/11/15 11:10:01
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
本文为晶科电子(广州)有限公司侯宇先生所讲解之《半导体工艺和硅片衬底流程简介》，从半导体的角度去讲解硅片衬底，以及led衬底的制作流程，通过这个教材会对半导体的加工流程和基本形成原
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126938.htm2011/10/31 20:11:17
d室内照明的中可控硅调光的实现方式和相关设计注意事项,供参
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126943.htm2011/10/31 14:22:31
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
1arcsec。硅衬底gan led理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
