站内搜索
型芯片产业化水平达到80-90lm/w，更加接近国际产业化水平，在衬底设备、外延生产、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的技术，如si衬底芯片光效达到70lm/w。 在200
http://blog.alighting.cn/lsddesign/archive/2011/9/5/235054.html2011/9/5 17:57:01
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用mocvd在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
n外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响。通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,alxga1-xn外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
9月1日上午，浪潮华光在济南召开了国家“863”计划新材料技术领域“新一代激光显示技术工程化开发”项目——“高可靠性、低成本半导体激光器材料与器件工程化开发”课题鉴定验收会。
https://www.alighting.cn/news/20110902/114685.htm2011/9/2 10:51:22
采用温梯法生长了非极性gan外延衬底r(012)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02
根据imsresearch预测，在ipad、iphone热卖下，到2015年全球的led市场可望达到180亿美元。semiopto/led晶圆厂预测报告指出，led晶圆厂的产能
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/9/1/234472.html2011/9/1 9:34:55
采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
0 min左右,显示的位错清晰、准确,且最适合随后的横向外延生
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127222.htm2011/8/31 15:44:51
