检索首页
阿拉丁已为您找到约 4083条相关结果 (用时 0.228176 秒)

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

高亮度led发光效益技术

高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点,但仍得面对静电释放(esd)损害和热膨胀系数(tce)等效能瓶颈;本文将提出一套采次黏着台(submoun

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274758.html2012/5/16 21:30:13

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

2048像素led平板显示器件的封装

示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274731.html2012/5/16 21:28:51

2048像素led平板显示器件的封装

图1)。3材料选用3.1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底片材料采用常规厚膜工艺所使用的96%a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底片能够良好匹配外,还

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274727.html2012/5/16 21:28:31

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

led灯具将成照明产业大势所趋 视觉享受和节能同行

 记者从国家发展改革委资司了解到,国家将继续大力推广led照明设备,逐步取消传统白炽灯的生产和使用。有关专家表示,世博会后,无论是旅游景点,还是大型建筑、商场宾馆,采用led取代传

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274713.html2012/5/16 21:27:43

led散热铝础知识

特的金属覆铜板,具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座,从而减少灌封胶部分产生的热

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274704.html2012/5/16 21:27:15

oled照明简史

入一般的商业市场。实际上,一些分析家认为,oled将永远无法同紧凑型荧光灯和led竞争,仍将是一个利技术。    当今市场上最大的15*15厘米oled面板,由lumiotec生

  http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/5/16/274593.html2012/5/16 17:35:11

南通市景观灯光规划

”。南通市民一向有爱河的传统,历代多加修葺,亭塔桥榭,园林片片,更增添了濠河迷人的风情。濠河分成南北两,一小一大,状似葫芦,水面宽窄错落有致,最宽处215米,最窄处仅10米。198

  http://blog.alighting.cn/15196/archive/2012/5/16/274568.html2012/5/16 14:04:34

首页 上一页 168 169 170 171 172 173 174 175 下一页