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d，姗姗来迟 1907年，在英国马可尼电子公司工作的英国工程师亨利·约瑟夫-劳德第一次在一块碳化硅晶体里观察到电致发光现象。这种“电致发光”现象也奠定了led被发明的物理基
http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/13/358956.html2014/10/13 16:43:33
从目前实验的结果来看，晶片对光衰的影响分为两大类：第一是晶片的材质不同导致衰减不同，目前常用的蓝光晶片衬底材质为碳化硅和蓝宝石，碳化硅一般结构设计为单电极，其导热效果比较好，蓝宝
https://www.alighting.cn/2014/10/13 14:02:58
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
目前,白光led(wled)的制备方法主要是利用蓝光led 芯片与yag 荧光粉结合实现(即光转换法),但由于yag 的发射光谱中缺少红光成分,所以难以实现高显色性 ,并且该问
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:26:44
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
位。基于科锐c2m?大尺寸sic芯片技术，这一新款半桥式模块能够实现令人称赞的8m?导通电阻以及比现有si集模块技术高10倍的开关效率，从而使得能够替代额定400a甚至更高的si
https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
目前人们正尝试采用近紫外光芯片激发红、绿和蓝三基色荧光粉得到白光led因此!当前急需研制适用于近紫外光有效激发的三基色荧光粉。
https://www.alighting.cn/2014/10/10 9:42:51
度最佳，做台灯使用也不错。需要警惕的是以省电为卖点的led台灯，led发光原理本身就是以蓝光芯片做为基础光源，近年来led灯具伤眼致人失明的事件不断增多，此种台灯并不可取。详情：央
http://blog.alighting.cn/lightbosh/archive/2014/10/9/358738.html2014/10/9 15:43:34
