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品牌大厂竞推led tv,led芯片将缺货两年

全球品牌大厂竞推led背光电视,2010年led需求大增。在供给却非常有限的情况下,led外延厂表示,led芯片将缺货两年。2009年在全球第一大厂三星力推之下,led背光液晶电

  https://www.alighting.cn/news/20100104/107582.htm2010/1/4 0:00:00

华灿光电18亿led芯片项目弥补产能缺口

“公司已是国内第二大led芯片制造商,但是产能只能勉强排到行业前十名。”华灿光电董事会秘书叶爱民在昨日股东大会后接受证券时报记者采访时表示,尽管发光二极管(led)行业面临短期

  https://www.alighting.cn/news/20120912/114447.htm2012/9/12 11:05:10

上海艾为推出白光led驱动芯片aw9364

上海艾为电子(awinic)发布一款超低压降恒流型并联驱动芯片aw9364。艾为电子采用创新设计技术,保证了aw9364仅需40mv电源压降,就可稳定输出4通道最大20ma的le

  https://www.alighting.cn/news/20081118/119068.htm2008/11/18 0:00:00

芯片封装大功率led照明产品(ppt)

中照照明奖颁奖环节过后,中国照明学会安排了五项获奖项目做报告,其中四项为工程照明案例,一项为科技创新项目,与你分享获奖项目的精彩。   附件为山西光宇半导体照明有限公司代表的《多芯

  https://www.alighting.cn/resource/2009616/V882.htm2009/6/16 17:24:32

芯片集成大功率白光led照明光源

以覆盖2700~13000k,并且显色指数均可做到80以上,完全能够满足普通照明对光性能指标的要求。通过对多颗小功率芯片(60mw)进行不同的串并联组合,可以实现不同的额定电压与电

  https://www.alighting.cn/resource/20130603/125541.htm2013/6/3 11:00:10

luminus devices推出phlatliGht芯片

括独立封装的红、绿、蓝光led,每个芯片的尺寸为 5.4mm2。当三种芯片结合时,芯片组在脉冲模式下可产生光通量峰值为1400lm的白

  https://www.alighting.cn/news/20070822/94914.htm2007/8/22 0:00:00

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

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