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于110℃）；5、为保证耦合器座圈内侧（主汞齐周围）温度不超过85-120℃，要在耦合器底座处设计散热装置；6、灯具的材料、形状及位置，对灯泡的照明效果都有很大的影响，如果有太
http://blog.alighting.cn/yzsuwei/archive/2009/6/22/10905.html2009/6/22 15:23:00
座圈内侧（主汞齐周围）温度不超过85-120℃，要在耦合器底座处设计散热装置；6、灯具的材料、形状及位置，对灯泡的照明效果都有很大的影响，如果有太多的光反射到灯泡上，会提高灯泡自
http://blog.alighting.cn/yzsuwei/archive/2010/3/9/35217.html2010/3/9 15:07:00
℃，（光源表面温度小于110℃）；5、为保证耦合器座圈内侧（主汞齐周围）温度不超过85-120℃，要在耦合器底座处设计散热装置；6、灯具的材料、形状及位置，对灯泡的照明效果都有很大的影
http://blog.alighting.cn/yzsuwei/archive/2010/3/11/35357.html2010/3/11 15:54:00
证耦合器座圈内侧（主汞齐周围）温度不超过85-120℃，要在耦合器底座处设计散热装置；6、灯具的材料、形状及位置，对灯泡的照明效果都有很大的影响，如果有太多的光反射到灯泡上，会提高灯
http://blog.alighting.cn/yzsuwei/archive/2010/3/11/35368.html2010/3/11 16:04:00
℃，（光源表面温度小于110℃）；5、为保证耦合器座圈内侧（主汞齐周围）温度不超过85-120℃，要在耦合器底座处设计散热装置；6、灯具的材料、形状及位置，对灯泡的照明效果都有很
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http://blog.alighting.cn/linlefei/archive/2010/7/11/55323.html2010/7/11 22:10:00
除有机物外，许多无机物在tio2表面也具有光学活性，例如无机污水中的CR6+接触到tio2催化剂表面时，能够捕获表面的光生电子而发生还原反应，使高价有毒的CR6+降解为毒性较低或无
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120312.html2010/12/13 10:35:00
于2013年5月28日发布了iec 60950-1:2005（2.0版）的第2份增补文件a2:2013。该增补文件的主要内容如下：1.5.6节：表1c增加y1、y2和y3电容的型式试
http://blog.alighting.cn/13129578758/archive/2013/6/25/319918.html2013/6/25 18:10:43
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http://blog.alighting.cn/cec005/archive/2009/12/15/21537.html2009/12/15 9:22:00
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