站内搜索
早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
等不良问题。 3.点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。 （对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179904.html2011/5/20 0:44:00
良问题。 c)点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光le
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222023.html2011/6/19 22:43:00
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222068.html2011/6/19 23:05:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(SiC)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
用纯净的碳化硅(SiC)材料研制出了第一个“真正的蓝光”led,但是它们的发光效率非常低。下一代器件使用 了氮化镓基料,其发光效率可以达到最初产品的数倍。当前制造蓝光led的晶体外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00
张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3.点胶在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于gaas、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00
一、前言gan材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SiC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代ge、si半导
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3.点胶在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/8/2/231475.html2011/8/2 10:39:00
夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233112.html2011/8/20 0:04:00
