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0％的ntsc色阶，而ccfl仅为70％。色阶的扩充使lcd影像色度更饱和、更逼真；可使lcd厚度更薄，在18英寸lcd模块中，led背光厚度为4mm～6mm，ccfl为8mm～1
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层，因此适合使用光学评鉴方式研究。如表1所示gaas、znse等常用的ⅲ-ⅴ(三五族)、ⅱ-ⅵ(二六族) 化合物半导体与gan最大差异点，是gan氮化物半导体的纵光
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m×16位的sdram芯片,单片hy57v641620存储容量为4组×16 m位（8 mb），支持自动刷新，16位数据宽度。为充分发挥32位cpu的数据处理能力，系统用2块8 ns的h
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n结构成的。高亮度led与标准led的差别在于它们的输出功率。传统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。图1显示了hi-led内部电压与电流的典型关
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路。大多数光学耦合器都经过ul1577、csa和 iec/din en/en 60747-5-2列明的基本安全标准认证。在某些情况下，人们特别希望提高一个封装中的光学耦合器数量，
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大的差距，同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年，但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器，像素密度达到5-6个／mm2。表
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陷，本文提出了在p1口的部分口线上实现2x8阵列的中断方式键盘输入和脱机硬件动态显示的新方法。2 原 理2．1 硬件设计 硬件原理电路如图1所示。在8031(1c1)的p1．0～p1
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编程为输入、输出和双向单元,并可根据所需要编程为锁存或寄存功能。每16个i/o cell分为一组。8个glb,16个i/o cell,一个orp和2个专用输入连在一起,组成一
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值在650nm波长时为0.2db／m，而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db／km，在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃，包层是专利的高强度聚合
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v）降至一个更加合适的led电压，根据应用的led彩色和亮度要求的不同，该led电压的变化范围可在2.68v至4.88v（每个led）之间。与此相反，在诸如刹车灯等需要多个由多达8个串
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