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国星光电拟进军LED上游芯片业务

国星光电曾指出,公司主营业务封装产品的毛利持续下降,必须找到新的赢利点,进军上游垂直整合产业链,也是基于LED产业快速发展的最佳选择。业内人士指出,国星光电进军le d上游最

  https://www.alighting.cn/news/20120625/113668.htm2012/6/25 11:03:00

发展LED照明产业 民族品牌扶持力度需加强

在国家政策刺激下,国内民族品牌开始成长起来,不过,由于中国LED照明产品大部分芯片仍需依靠进口,政府在培育市场的同时,应该适当增加对民族品牌的扶持,以免“为他人作嫁衣裳”。

  https://www.alighting.cn/news/20120419/89646.htm2012/4/19 10:55:05

LED照明标准更加规范了下游LED照明领域

目前,在整个LED产业链中,犹豫核心技术的缺乏,国内大多数企业集中在下游低利润的LED照明领域,而对于上游的芯片领域涉及的企业较少,其次是封装领域。日前,中国建筑科学研究院开

  https://www.alighting.cn/news/20110323/100847.htm2011/3/23 10:10:11

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

中国LED封装技术与国外的差异

LED产业链总体分为上、中、下游,分别是LED外延芯片LED封装及LED应用。作为LED产业链中承上启下的LED封装,在整个产业链中起着无可比拟的重要作用。基于LED器件的各

  https://www.alighting.cn/news/2012425/n516339165.htm2012/4/25 10:19:29

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