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led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

蓝宝石图形化衬底的Gan基led大功率芯片的研究和产业化

本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备Gan基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底,在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提

  https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44

中国最大规模的大功率led芯片生产基地落脚武汉

近日,武汉迪源光电半导体产业园二期在当地的「光谷」破土动工,系中国首家大功率led芯片生产基地。

  https://www.alighting.cn/news/20070921/94633.htm2007/9/21 0:00:00

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