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el显示(薄膜型电致发光显示)技术

后,仍能继续正常使用。得益于el显示器的固态结构特征,其工作温度可以达到惊人的-50摄氏度到+85摄氏度。不同于其他类型的显示技术,无需预热也无需昂贵的大功率加热器,el显示器在

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led背光与无彩色滤光片技术

统的可靠性。另一方面,省下彩色滤光片,在制程上除节省原料成本(约占面板15%左右)外,实质上还省略滤光片涂布、制作之工序、减少工时及提升良率;更可以免去配套建设cf厂房设备的大笔投

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led芯片的制造工艺简介

后,100%的目检(vi/vc),操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。3、 接着使用全自动分类机根据不同的电压,波长,亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑癣测试和分类。4、 最后

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

素的有机化合物和ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种ⅲ-ⅴ族、ⅱ-ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。mocvd是在

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氮化镓衬底及其生产技术

晶,向4-6英?挤较蚍⒄梗?以及降低杂质污染和提高表面抛光质量。3)sic衬底除了al2o3衬底外,目前用于氮化镓生长衬底就是sic,它在市场上的占有率位居第二,目前还未有第三种衬

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gan外延片的主要生长方法

素流量通常为(1-5)×10-5克分子,v族元素的流量为(1-2)×10-3克分子。为获得合适的长晶速度及优良的晶体结构,衬底旋转速度和长晶温度的优化与匹配至关重要。细致调节生长腔体

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led外延片(衬底材料)介绍

年,包括掩埋层在内,用于逻辑器件的cmos占所有外延片的69%,dram占11%,分立器件占20%。到2005年,cmos逻辑将占55%,dram占30%,分立器件占15%。led外

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我国半导体照明应用现状

屏手机,以及高像素拍照手机、大屏幕音影手机、多功能3g手机的盛行,预计每部手机所需led颗数高达12-18颗。因此,预计未来几年国内生产的手机所需led颗数高达60亿颗左右。国内封

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led的封装技术

形树脂透镜,可使光集中到led的轴线方向,相应的视角较小;如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型,其相应视角将增大。一般情况下,led的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽

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led光源的道路灯具的设计要点

为灯下照度的40%~20%。二是此类灯具的反射器的效率一般仅为50%~60%,所以有60%左右的光输出在灯具内,是在损失了40%~30%后再投射到路面上的。此类灯具的总体效率一般都

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