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将sic外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

大功率led芯片的几种制造方法

大功率led器件的生产,需要制备合适的大功率led芯片,本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。

  https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37

衬底温度对al_2o_3(0001)表面外延6h-sic薄膜的影响

采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19

led衬底的选择与外延工艺设备

本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的本情况,读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22

国产led芯片与国际大咖的技术层次差异浅析

led芯片走过前几年产能过剩引起的低迷期后,随着下游led照明市场需求的起量,开始复苏。过去的2014年上半年,led照明产业由于下游应用市场需求的快速增长,给整个上游带来了供不应

  https://www.alighting.cn/news/20140708/87260.htm2014/7/8 10:58:59

硅衬底led芯片,何时跻身主流?

如今,sic、蓝宝石、硅这三种不同的衬底技术路线,哪种在成本和性能上更具优势?如果越来越多的公司开始量产硅衬底,是否会对sic与蓝宝石这两种技术路线形成冲击?不同的技术路线,国内外

  https://www.alighting.cn/news/20120516/89190.htm2012/5/16 9:49:09

led相关材料入选新材料“十二五”重点产品

工业和信息化部在其网站发布了《新材料产业“十二五”发展规划》(以下简称《规划》)。《规划》对新材料产业的发展现状和趋势、总体思路、未来发展重点、区域如何布局、“十二五”期间组织实施

  https://www.alighting.cn/news/20120228/109426.htm2012/2/28 18:46:39

东莞市瑞得电子工程有限公司

东莞市瑞得电子工程有限公司专业销售恒流二极(限流二极)、恒流三极、恒流驱动ic、线性ic、开关电源ic。主要型号如下:恒流三极lc1920(恒流10-40ma),恒流二极

  http://blog.alighting.cn/dgrd2008/archive/2010/12/7/118801.html2010/12/7 19:52:00

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

如波长625 nm algainp超高亮度发光二极的内量子效率可达到100%,已接近极限。  lgainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

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