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日企高效率直管型leD灯将上市 价格1.25万日元

日本爱丽思欧雅玛公司(总部:仙台市)宣布,可实现“业界顶级”发光效率(该公司)——170lm/w的直管型leD灯“ecohilux heα”,将于2014年3月底上市。这种灯适用

  https://www.alighting.cn/news/2014121/n110059725.htm2014/1/21 13:31:41

大功率leD芯片粘结材料和封装基板材料的研究

b板的leD总体热阻分别为8.95、10.66和22.48℃/w;采用sn20au80和银胶芯片粘接的leD,芯片到cu热沉的热阻分别为3.75和4.80℃/w.因此对于大功率le

  https://www.alighting.cn/2011/12/5 17:48:09

lp-mocvD生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

利用mocvD系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

leD显示控制系统中sDram控制器的设计

对应用在leD显示控制系统中的sDram控制器进行了设计,实现了256×64像素点的实时显示控制,采用xilinx公司的现场可编程逻辑器件(fpga)xc3s250e作为系统的硬

  https://www.alighting.cn/resource/20110927/127072.htm2011/9/27 13:45:05

gan leD外延片微结构分析及性能研究

数,2.利用高分辨x射线衍射对gan基leD外延片的超晶格结构进行了测量, 3.利用高分辨透射电子显微镜对gan基leD外延片进行了分析 4.利用f7000荧光光谱仪对样品进行了光

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52

纳米zno薄膜对有机电致发光器件性能的影响

对这种发光器件性能的影响。在普通有机电致发光器件空穴传输层和发光层之间直接蒸镀一层纳米zno薄膜,当纳米zno薄膜的厚度为1nm时,器件的电流效率可达3.26cD/a,是没有纳米zn

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15

利用微球层提高有机发光二极管出光效率

件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleDs器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29

利用leD探测甲烷气体浓度的实验研究

报导了一个利用leD作光源探测甲烷浓度的差分探测系统,分析了系统中各光学元件的作用,给出甲烷浓度的计算方法及实验结果.选用甲烷在1.65μm附近2ν3谱带中的r支作为探测对象.利

  https://www.alighting.cn/resource/20110907/127188.htm2011/9/7 9:22:31

氧化处理的蓝宝石基片上沉积的zno/mgo多量子阱的结构及光学性质研究

采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27

蓝宝石基片上制备双面tl_2ba_2cacu_2o_8超导薄膜

为106k,jc(77k,0t)为3.5ma/cm2,微波表面电阻rs(77k,10ghz)为390μ

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42

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