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配的衬底材料，外延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷，其大部分的是线性位错，器件工作时，接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区，从而形成低阻欧姆通道，造
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
绍了si衬底gan基材料生长及特性方面的研究现状和gan基器件的进展情况。 关键词：gan；si衬底；外延生长 中图分类号：tn316 文献标识码：a 文章编号：1003
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
第一章 外延在光电产业角色 近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管ｌｅｄ及激光二级管ｌｄ的应用无
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破gan材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
蓝光激发产生蓝绿红三色染料 蓝色led znse 外延层出现蓝光，激发衬底出黄光 紫外led ingan/荧光粉 紫外光激发三基色荧光
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133864.html2011/2/19 23:34:00
到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破gan材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
般都在15mhz以上。 在led上游外延片、芯片生产上，美国、日本、欧盟仍拥有很大的技术优势，而中国台湾地区则已成为全球重要的led生产基地。虽然中国在led外延片、芯片的生产技
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133839.html2011/2/19 23:23:00
高刷新率画面的基础。目前主流恒流源驱动芯片移位时钟频率一般都在15 mhz以上。 在led上游外延片、芯片生产上，美国、日本、欧盟仍拥有很大的技术优势，而中国台湾地区则已成为全
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133837.html2011/2/19 23:22:00
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
灯和荧光灯等通用性光源相比，距离甚远。因此，led要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技术和多量子
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
