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3月1日晚间，聚灿光电(下称“公司”)发布公告，公司拟变更募集资金投资项目并对全资子公司增资1.5亿元。

https://www.alighting.cn/news/20180302/155383.htm2018/3/2 10:19:50

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

晶能光电(江西)有限公司董事长江风益：晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发

http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00

led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，

https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08