三安光电四季度或导入6寸microled外延生产

据报道，三安已经开发出尺寸为10x20微米的micro led，并希望在明年进一步缩小micro led的规模，为客户提供样品芯片和测试数据。转向6寸晶圆对于降低制造成本非常重要，

  https://www.alighting.cn/news/20191107/164932.htm2019/11/7 9:20:13

数字化解读照明产业链上市公司的2023年-外延芯片板块

  https://www.alighting.cn/news/20240509/176112.htm2024/5/9 17:39:21

木林森：外延并购进军低空照明，高股息转向高成长

1月3日晚间，木林森（002745.sz）公告，公司(甲方)与项目合作方陈利(乙方)、广州市新航科技有限公司(丙方)完成《合作意向协议书》签订。各方拟协同开展低空照明、航空照明相关

  https://www.alighting.cn/news/20250107/176740.htm2025/1/7 11:24:43

揭开led最鲜为人知的秘密

导读： 　　效率下降是阻碍GaN基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺

  https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02

国内首台高端led芯片制造用icp刻蚀机交付使用

足蓝宝石衬底图形化刻蚀、si衬底刻蚀以及GaN基外延层刻蚀等led领域所有刻蚀应

  https://www.alighting.cn/news/20100608/119238.htm2010/6/8 0:00:00

三安光电:未来2-3年成长加速

天津幕投项目规模大约在20台左右,达到年产外延片85万片/年、芯片200亿粒。用于生产蓝绿和红黄的设备比例一般约为2:1,即蓝绿、红黄分别为14台、6台,如此计算本次幕投项目可新

  https://www.alighting.cn/news/20091028/121329.htm2009/10/28 0:00:00

高亮度芯片面临的发展瓶颈

现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长，利用非极性技术，可最大限度地减少活性层的缺陷，使得led芯

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21

led晶圆技术的未来发展趋势

汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvp

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00

关于联盟组团赴欧参加icns学术会议暨欧洲GaN学术拓展精进之旅的通知

为响应国家推进新材料产业发展，实施制造产业强国战略的号召，国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(casa)将联合北京大学于2017年7月20

  https://www.alighting.cn/news/20170413/150127.htm2017/4/13 14:51:26

[发展趋势]未来led散热基板技术的发展趋势

随着全球环保的意识抬头,节能省电已成为当今的趋势。led产业是近年来最受瞩目的产业之一。

  https://www.alighting.cn/news/20091116/V21708.htm2009/11/16 15:47:13